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2SC5606-A

2SC5606-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5606-A
PNEDA Part # 2SC5606-A
Descrizione RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5606-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5606-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5606-A, 2SC5606-A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.132,15 KB)
PDF2SC5606-A Datasheet Copertura
2SC5606-A Datasheet Pagina 2 2SC5606-A Datasheet Pagina 3 2SC5606-A Datasheet Pagina 4 2SC5606-A Datasheet Pagina 5 2SC5606-A Datasheet Pagina 6 2SC5606-A Datasheet Pagina 7

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2SC5606-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.3V
Frequenza - Transizione21GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Guadagno12.5dB
Potenza - Max115mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

4.5GHz ~ 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Guadagno

10dB @ 1GHz

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCP

75102

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MSC1175M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

400W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

LM3046MX

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Guadagno

-

Potenza - Max

750mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Guadagno

7dB ~ 10dB

Potenza - Max

130mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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