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2SC5509-T2-A

2SC5509-T2-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5509-T2-A
PNEDA Part # 2SC5509-T2-A
Descrizione RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5509-T2-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5509-T2-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5509-T2-A, 2SC5509-T2-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.417,29 KB)
PDF2SC5509-A Datasheet Copertura
2SC5509-A Datasheet Pagina 2 2SC5509-A Datasheet Pagina 3 2SC5509-A Datasheet Pagina 4 2SC5509-A Datasheet Pagina 5 2SC5509-A Datasheet Pagina 6 2SC5509-A Datasheet Pagina 7 2SC5509-A Datasheet Pagina 8 2SC5509-A Datasheet Pagina 9 2SC5509-A Datasheet Pagina 10

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2SC5509-T2-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.3V
Frequenza - Transizione15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Guadagno14dB
Potenza - Max190mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

CP302-MPSH10-CT

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

PH3134-30S

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.5dB

Potenza - Max

30W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

SD1275

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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