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2SC5108-Y,LF

2SC5108-Y,LF

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5108-Y,LF
PNEDA Part # 2SC5108-Y-LF
Descrizione TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.204
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5108-Y Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5108-Y,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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2SC5108-Y Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione6GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno11dB
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreSSM

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

UTV200

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

28V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55JV

Pacchetto dispositivo fornitore

55JV

0910-150M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

890MHz ~ 1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.1dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

400W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

AT-41535G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 18dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (35 micro-X)

Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.95dB @ 1.8GHz

Guadagno

22.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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