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2SC5013-T1-A

2SC5013-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5013-T1-A
PNEDA Part # 2SC5013-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5013-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5013-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5013-T1-A, 2SC5013-T1-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.328,19 KB)
PDF2SC5013-A Datasheet Copertura
2SC5013-A Datasheet Pagina 2 2SC5013-A Datasheet Pagina 3 2SC5013-A Datasheet Pagina 4 2SC5013-A Datasheet Pagina 5 2SC5013-A Datasheet Pagina 6

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2SC5013-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB @ 2GHz
Guadagno9.5dB
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (230 mil BeO)

Pacchetto dispositivo fornitore

230 mil Be0

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

17.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

SD1332-05H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

180W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M150

Pacchetto dispositivo fornitore

M150

2N4957

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-72-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

HFA3046B96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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