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2SC2229-O(SHP1,F,M

2SC2229-O(SHP1,F,M

Solo per riferimento

Numero parte 2SC2229-O(SHP1,F,M
PNEDA Part # 2SC2229-O-SHP1-F-M
Descrizione TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC2229-O(SHP1 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC2229-O(SHP1,F,M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SC2229-O(SHP1, 2SC2229-O(SHP1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 138,76 KB)
PDF2SC2229-Y Datasheet Copertura
2SC2229-Y Datasheet Pagina 2 2SC2229-Y Datasheet Pagina 3 2SC2229-Y Datasheet Pagina 4 2SC2229-Y Datasheet Pagina 5

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2SC2229-O(SHP1 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)150V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Potenza - Max800mW
Frequenza - Transizione120MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

CZT3904 BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MPSA93RLRMG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

250nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NZT7053

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

200nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223-4

2SD1407A-Y(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 5V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

12MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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