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2SC0108T2D0-12

2SC0108T2D0-12

Solo per riferimento

Numero parte 2SC0108T2D0-12
PNEDA Part # 2SC0108T2D0-12
Descrizione IC DUAL GATE DRIVER 8A
Produttore Power Integrations
Prezzo unitario
1 ---------- $616,1677
50 ---------- $587,2848
100 ---------- $558,4020
200 ---------- $529,5191
400 ---------- $505,4500
500 ---------- $481,3810
Disponibile 4.963
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC0108T2D0-12 Risorse

Brand Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC0108T2D0-12
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
2SC0108T2D0-12, 2SC0108T2D0-12 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 234,47 KB)
PDF2SC0108T2D0-12 Datasheet Copertura
2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 2 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 3 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 4 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 5 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 6 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 7 2SC0108T2D0-12 Datasheet Pagina 8

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2SC0108T2D0-12 Specifiche

ProduttorePower Integrations
SerieSCALE™-2
Configurazione guidataHigh-Side or Low-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT
Tensione - Alimentazione14.5V ~ 15.5V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)8A, 8A
Tipo di ingresso-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200V
Tempo di salita / discesa (tipico)17ns, 15ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

13.5ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 2.55V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.8ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

210mA, 360mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR2235JPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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