2SB315B-2MBI800VT-170E
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| Numero parte | 2SB315B-2MBI800VT-170E |
| PNEDA Part # | 2SB315B-2MBI800VT-170E |
| Descrizione | MOD GATE DVR 2MBI800VT-170E |
| Produttore | Power Integrations |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.208 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SB315B-2MBI800VT-170E Risorse
| Brand | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SB315B-2MBI800VT-170E |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
2SB315B-2MBI800VT-170E, 2SB315B-2MBI800VT-170E Datasheet
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2SB315B-2MBI800VT-170E Specifiche
| Produttore | Power Integrations |
| Serie | SCALE™-1 |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 0V ~ 16V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 4 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) -, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 8ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-VQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 16-QFN (4x4) |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Tempo di salita / discesa (tipico) 400ns, 400ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.1V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 40ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-uMax-EP |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 0V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.6A, 3.3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500V Tempo di salita / discesa (tipico) 43ns, 26ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver 4 Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 14-PDIP |
