2SB315A-2MBI800VT-170E
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| Numero parte | 2SB315A-2MBI800VT-170E |
| PNEDA Part # | 2SB315A-2MBI800VT-170E |
| Descrizione | MOD GATE DVR 2MBI800VT-170E |
| Produttore | Power Integrations |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SB315A-2MBI800VT-170E Risorse
| Brand | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SB315A-2MBI800VT-170E |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
2SB315A-2MBI800VT-170E, 2SB315A-2MBI800VT-170E Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 143,68 KB)
  
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2SB315A-2MBI800VT-170E Specifiche
| Produttore | Power Integrations |
| Serie | SCALE™-1 |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 0V ~ 16V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 14-DIP |
