2SA965-O(TE6,F,M)
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| Numero parte | 2SA965-O(TE6,F,M) |
| PNEDA Part # | 2SA965-O-TE6-F-M |
| Descrizione | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SA965-O(TE6 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SA965-O(TE6,F,M) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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2SA965-O(TE6 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 800mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 120V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Frequenza - Transizione | 120MHz |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
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