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2SA1978-T1B-A

2SA1978-T1B-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1978-T1B-A
PNEDA Part # 2SA1978-T1B-A
Descrizione RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1978-T1B-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1978-T1B-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SA1978-T1B-A, 2SA1978-T1B-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 2.375,83 KB)
PDF2SA1978-A Datasheet Copertura
2SA1978-A Datasheet Pagina 2 2SA1978-A Datasheet Pagina 3 2SA1978-A Datasheet Pagina 4 2SA1978-A Datasheet Pagina 5 2SA1978-A Datasheet Pagina 6 2SA1978-A Datasheet Pagina 7 2SA1978-A Datasheet Pagina 8 2SA1978-A Datasheet Pagina 9 2SA1978-A Datasheet Pagina 10

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2SA1978-T1B-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2dB @ 1GHz
Guadagno10dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 15mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

14dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

NE68018-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

10.2dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

SD1244-09H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

48V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.3dB

Potenza - Max

25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M222

Pacchetto dispositivo fornitore

M222

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

43GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

11dB ~ 30.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

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