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2SA1977-T1B-A

2SA1977-T1B-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1977-T1B-A
PNEDA Part # 2SA1977-T1B-A
Descrizione RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.626
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2SA1977-T1B-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1977-T1B-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SA1977-T1B-A, 2SA1977-T1B-A Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.433,78 KB)
PDF2SA1977-A Datasheet Copertura
2SA1977-A Datasheet Pagina 2 2SA1977-A Datasheet Pagina 3 2SA1977-A Datasheet Pagina 4 2SA1977-A Datasheet Pagina 5 2SA1977-A Datasheet Pagina 6 2SA1977-A Datasheet Pagina 7 2SA1977-A Datasheet Pagina 8 2SA1977-A Datasheet Pagina 9 2SA1977-A Datasheet Pagina 10 2SA1977-A Datasheet Pagina 11

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2SA1977-T1B-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

180mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

28V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 10dB

Potenza - Max

65W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Channel, DIN Rail Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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