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2SA1837,HFEMBJF(J

2SA1837,HFEMBJF(J

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1837,HFEMBJF(J
PNEDA Part # 2SA1837-HFEMBJF-J
Descrizione TRANS PNP 1A 230V TO220-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.214
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1837 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1837,HFEMBJF(J
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SA1837, 2SA1837 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 135,05 KB)
PDF2SA1837 Datasheet Copertura
2SA1837 Datasheet Pagina 2 2SA1837 Datasheet Pagina 3 2SA1837 Datasheet Pagina 4

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  • 2SA1837,HFEMBJF(J Distributor

2SA1837 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)230V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione70MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

650mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

PN2907ATA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC817K-40HVL

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

2N6547

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MJ21194G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 8A, 5V

Potenza - Max

250W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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