2PS06017E32G28213NOSA1
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| Numero parte | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
| PNEDA Part # | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE 1100VDC 325A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.434 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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2PS06017E32G28213NOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
2PS06017E32G28213NOSA1, 2PS06017E32G28213NOSA1 Datasheet
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2PS06017E32G28213NOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | 2 Independent |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 55°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 45A Potenza - Max 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Corrente - Taglio collettore (Max) 3mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D1 Pacchetto dispositivo fornitore D1 |
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