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2N7002PSZ

2N7002PSZ

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002PSZ
PNEDA Part # 2N7002PSZ
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002PSZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002PSZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
2N7002PSZ, 2N7002PSZ Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 475,64 KB)
PDF2N7002PS/ZLX Datasheet Copertura
2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 2 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 3 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 4 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 5 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 6 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 7 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 8 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 9 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 10 2N7002PS/ZLX Datasheet Pagina 11

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2N7002PSZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Potenza - Max280mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V

Potenza - Max

2.4W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3241pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

294mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

24.5pF @ 20V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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