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2N7002K-T1-E3

2N7002K-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002K-T1-E3
PNEDA Part # 2N7002K-T1-E3
Descrizione MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.638.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002K-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002K-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2N7002K-T1-E3, 2N7002K-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 233,84 KB)
PDF2N7002K-T1-E3 Datasheet Copertura
2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 2 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 3 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 4 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 5 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 6 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 7 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 8 2N7002K-T1-E3 Datasheet Pagina 9

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2N7002K-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C300mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

930mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 196µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Pacchetto / Custodia

Die

AOI452A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251A

Pacchetto / Custodia

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 140A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 30V

Funzione FET

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Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

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