2N7002DW L6327
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| Numero parte | 2N7002DW L6327 |
| PNEDA Part # | 2N7002DW-L6327 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.112 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N7002DW L6327 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N7002DW L6327 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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2N7002DW L6327 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
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