2N6661JTVP02
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| Numero parte | 2N6661JTVP02 |
| PNEDA Part # | 2N6661JTVP02 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.534 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N6661JTVP02 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N6661JTVP02 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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2N6661JTVP02 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 90V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
| Pacchetto / Custodia | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
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