2N5872
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| Numero parte | 2N5872 |
| PNEDA Part # | 2N5872 |
| Descrizione | PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.202 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N5872 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N5872 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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2N5872 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max - Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 6A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 3V @ 60mA, 6A Corrente - Taglio collettore (Max) 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V Potenza - Max 50W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 250MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V Potenza - Max 350mW Frequenza - Transizione 50MHz Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 7A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 3A, 7A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 4V Potenza - Max 40W Frequenza - Transizione 10MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
