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2N5665

2N5665

Solo per riferimento

Numero parte 2N5665
PNEDA Part # 2N5665
Descrizione NPN TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5665 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5665
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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2N5665 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

Potenza - Max

125W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

2SC2235-Y(T6CN,A,F

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

BD680AS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

Potenza - Max

14W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

JANTX2N3636UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/357

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

175V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SMD

MPSA77_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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