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2N5551G

2N5551G

Solo per riferimento

Numero parte 2N5551G
PNEDA Part # 2N5551G
Descrizione TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.506
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2N5551G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5551G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N5551G, 2N5551G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 88,67 KB)
PDF2N5551RL1G Datasheet Copertura
2N5551RL1G Datasheet Pagina 2 2N5551RL1G Datasheet Pagina 3 2N5551RL1G Datasheet Pagina 4 2N5551RL1G Datasheet Pagina 5 2N5551RL1G Datasheet Pagina 6

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2N5551G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)160V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione300MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 20mA, 8V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

6GHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

PBSS4350Z/ZLF

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

290mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

2PB709ARL,235

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

BD3756STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

BC560CTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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