2N5116
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| Numero parte | 2N5116 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2N5116_5E | ||||||||||||||||||
| Descrizione | P CHANNEL JFET | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 881 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2N5116 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N5116 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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2N5116 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 4V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | 175 Ohms |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
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