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2N5114UB

2N5114UB

Solo per riferimento

Numero parte 2N5114UB
PNEDA Part # 2N5114UB
Descrizione P CHANNEL JFET
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5114UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5114UB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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2N5114UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)90mA @ 18V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id10V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)75 Ohms
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreUB

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

J110

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

18 Ohms

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

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