2N4859
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| Numero parte | 2N4859 |
| PNEDA Part # | 2N4859 |
| Descrizione | N CHANNEL JFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N4859 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N4859 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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2N4859 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 175mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 10V @ 500pA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | 25 Ohms |
| Potenza - Max | 360mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 800mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 300 Ohms Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 |
