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2N4857JAN02

2N4857JAN02

Solo per riferimento

Numero parte 2N4857JAN02
PNEDA Part # 2N4857JAN02
Descrizione JFET N-CH 40V 360MA TO-18
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4857JAN02 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4857JAN02
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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2N4857JAN02 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET-
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AA (TO-18)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

15V

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

700mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59-3/CP3

DSK5J01Q0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

30mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-F2-B

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

8V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

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