2N3501
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| Numero parte | 2N3501 |
| PNEDA Part # | 2N3501 |
| Descrizione | TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.742 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N3501 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N3501 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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2N3501 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 300mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 150V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 10µA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010D-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 150V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Potenza - Max 800mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
