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2N335T2

2N335T2

Solo per riferimento

Numero parte 2N335T2
PNEDA Part # 2N335T2
Descrizione NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N335T2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N335T2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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2N335T2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

MPSA92_D75Z

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

250nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SD2406-Y(F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

30µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

8MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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