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2N3055HG

2N3055HG

Solo per riferimento

Numero parte 2N3055HG
PNEDA Part # 2N3055HG
Descrizione TRANS NPN 60V 15A TO-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N3055HG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N3055HG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N3055HG, 2N3055HG Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 85,92 KB)
PDF2N3055HG Datasheet Copertura
2N3055HG Datasheet Pagina 2 2N3055HG Datasheet Pagina 3 2N3055HG Datasheet Pagina 4

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2N3055HG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 3.3A, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)700µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Potenza - Max115W
Frequenza - Transizione2.5MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-204 (TO-3)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-226

JANTX2N5238S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/394

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

170V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

2SC4116-Y,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

MPSA05_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 250mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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