24LC04BHT-E/MNY
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| Numero parte | 24LC04BHT-E/MNY |
| PNEDA Part # | 24LC04BHT-E-MNY |
| Descrizione | IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8TDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.354 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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24LC04BHT-E/MNY Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 24LC04BHT-E/MNY |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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24LC04BHT-E/MNY Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 4Kb (256 x 8 x 2) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 900ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 52MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 85ns Tempo di accesso 85ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 88-TFBGA, CSPBGA Pacchetto dispositivo fornitore 88-SCSP (8x10) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-miniBGA (9x11) |
Produttore Parallax Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-DIP |
