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1SD312F2-CM900HB-90H

1SD312F2-CM900HB-90H

Solo per riferimento

Numero parte 1SD312F2-CM900HB-90H
PNEDA Part # 1SD312F2-CM900HB-90H
Descrizione IGBT GATE DRIVER PLUG&PLAY
Produttore Power Integrations
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.156
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1SD312F2-CM900HB-90H Risorse

Brand Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1SD312F2-CM900HB-90H
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
1SD312F2-CM900HB-90H, 1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 135,92 KB)
PDF1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Copertura
1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Pagina 2 1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Pagina 3 1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Pagina 4 1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Pagina 5 1SD312F2-CM900HB-90H Datasheet Pagina 6

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1SD312F2-CM900HB-90H Specifiche

ProduttorePower Integrations
SerieSCALE™-1
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione15.5V ~ 16.8V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)12A, 12A
Tipo di ingresso-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)100ns, 100ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.1V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UCC27282DRCR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.9V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 3.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-VSON (3x3)

ISL6622CRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

ISL6609AIBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IXA531L4

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

600mA, 600mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC

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