1N8035-GA
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| Numero parte | 1N8035-GA |
| PNEDA Part # | 1N8035-GA |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N8035-GA Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N8035-GA |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N8035-GA Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 14.6A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-276AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-276 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
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