1N6629
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| Numero parte | 1N6629 |
| PNEDA Part # | 1N6629 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.066 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N6629 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N6629 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N6629 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 880V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 880V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | A, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore SMB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore A-MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 40V Capacità @ Vr, F 1.5pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0201 (0603 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 0603 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
