1N647-1
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| Numero parte | 1N647-1 |
| PNEDA Part # | 1N647-1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 26.898 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N647-1 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N647-1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N647-1 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 400mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 10mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.14V @ 25A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
