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1N5833

1N5833

Solo per riferimento

Numero parte 1N5833
PNEDA Part # 1N5833_5E
Descrizione 5A SCHOTTKY RECTIFIER
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5833 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5833
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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1N5833 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.3µA @ 25V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-80 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-80 QuadroMELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

ES1AL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBRH120200R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

71A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2V @ 45A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N3611

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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