1N5832
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| Numero parte | 1N5832 |
| PNEDA Part # | 1N5832 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.492 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5832 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5832 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N5832 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 20V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 40A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 520mV @ 40A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 845A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.89V @ 2655A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 45mA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-200AA, A-PUK Pacchetto dispositivo fornitore B-43, Hockey PUK Temperatura di esercizio - Giunzione - |
