1N5830
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| Numero parte | 1N5830 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N5830 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 | ||||||||||||||||||
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 149 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1N5830 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5830 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N5830 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 25V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 25A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 25A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore A, Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
