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1N5819HW-7

1N5819HW-7

Solo per riferimento

Numero parte 1N5819HW-7
PNEDA Part # 1N5819HW-7
Descrizione DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.922
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5819HW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5819HW-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5819HW-7, 1N5819HW-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 291,62 KB)
PDF1N5819HW-7 Datasheet Copertura
1N5819HW-7 Datasheet Pagina 2 1N5819HW-7 Datasheet Pagina 3 1N5819HW-7 Datasheet Pagina 4 1N5819HW-7 Datasheet Pagina 5

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1N5819HW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If450mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 40V
Capacità @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 125°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

3600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

270A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 250A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 3600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

RS1JFS MXG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-128

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

85ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto dispositivo fornitore

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