1N5711
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| Numero parte | 1N5711 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N5711 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | SCHOTTKY DIODE | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 15.480 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1N5711 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5711 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5711 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 125V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5nA @ 100V Capacità @ Vr, F 8pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F 85pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (TO-3P) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 680mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 80V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 23pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 2114/DO-214AA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 30V Capacità @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AD Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
