1N4458R
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| Numero parte | 1N4458R |
| PNEDA Part # | 1N4458R |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.510 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N4458R Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4458R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N4458R Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/162 |
| Tipo di diodo | Standard, Reverse Polarity |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 15A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 700µA @ 650V Capacità @ Vr, F 590pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 25V Capacità @ Vr, F 17pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2000V Corrente - Media Rettificata (Io) 450A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 2000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia B-8 Pacchetto dispositivo fornitore B-8 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
