1N4150W-HE3-18
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| Numero parte | 1N4150W-HE3-18 |
| PNEDA Part # | 1N4150W-HE3-18 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N4150W-HE3-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4150W-HE3-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
1N4150W-HE3-18, 1N4150W-HE3-18 Datasheet
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1N4150W-HE3-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F 180pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Powermite®3 Pacchetto dispositivo fornitore Powermite 3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
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