1N4003G
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| Numero parte | 1N4003G |
| PNEDA Part # | 1N4003G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 255.024 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N4003G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4003G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N4003G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 625mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 650µA @ 60V Capacità @ Vr, F 20pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-XDFN Pacchetto dispositivo fornitore DSN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
