11AA040T-I/MNY
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| Numero parte | 11AA040T-I/MNY |
| PNEDA Part # | 11AA040T-I-MNY |
| Descrizione | IC EEPROM 4K SINGLE WIRE 8TDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.210 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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11AA040T-I/MNY Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 11AA040T-I/MNY |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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11AA040T-I/MNY Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
| Interfaccia di memoria | Single Wire |
| Frequenza di clock | 100kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 8 x 2) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 350ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-TDFN (2x3) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-miniBGA (7.2x8.7) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 44-PLCC (16.6x16.6) |
