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XP161A11A1PR-G Datasheet

XP161A11A1PR-G Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 312,56 KB
Torex Semiconductor Ltd
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: XP161A11A1PR-G
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XP161A11A1PR-G

Torex Semiconductor Ltd

Produttore

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA