XN0NE9200L Datasheet
XN0NE9200L Datasheet
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Panasonic Electronic Components
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
XN0NE9200L
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Mini5-G1 Pacchetto / Custodia SC-74A, SOT-753 |
