VS-EMG050J60N Datasheet
VS-EMG050J60N Datasheet
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
VS-EMG050J60N
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 88A Potenza - Max 338W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max) 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.5nF @ 30V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia EMIPAK2 Pacchetto dispositivo fornitore EMIPAK2 |
