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STPSC6H12B-TR1 Datasheet

STPSC6H12B-TR1 Datasheet
Totale pagine: 8
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STMicroelectronics
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: STPSC6H12B-TR1
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STPSC6H12B-TR1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

330pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C