STD26P3LLH6 Datasheet
STD26P3LLH6 Datasheet
Totale pagine: 16
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STD26P3LLH6
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Produttore STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
