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SQ2325ES-T1_GE3 Datasheet

SQ2325ES-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 229,08 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SQ2325ES-T1_GE3
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SQ2325ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

840mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.77Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236 (SOT-23)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3