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SQ1420EEH-T1-GE3 Datasheet

SQ1420EEH-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 172,93 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SQ1420EEH-T1-GE3
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SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363