SIZF906ADT-T1-GE3 Datasheet
SIZF906ADT-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 245,71 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIZF906ADT-T1-GE3
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Potenza - Max 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5) |
