SIR872ADP-T1-GE3 Datasheet
SIR872ADP-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 311,74 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIR872ADP-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 53.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1286pF @ 75V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
